Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
12 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- В наличии
- Код: 7000002376
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBTВ наличии
12 ₴
+380 (67) 598-82-42
Инна- +380 (97) 613-58-21Александр
возврат товара в течение 15 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Свойства | Ключевые слова Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
Информация для заказа
- Цена: 12 ₴